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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
14.2
写入速度,GB/s
2,066.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2933
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
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