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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
9.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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