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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
4,577.1
17.2
写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3461
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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