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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
19.3
写入速度,GB/s
2,066.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3495
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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