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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
94
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
94
读取速度,GB/s
17.6
13.5
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2771
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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