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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 16.8
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 49
    左右 -81% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 16.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3731

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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