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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
37
读取速度,GB/s
2,831.6
15.4
写入速度,GB/s
1,322.6
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2321
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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