RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
71
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2321
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link