RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2321
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link