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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
4,577.1
14.5
写入速度,GB/s
2,066.5
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2516
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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