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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
64
读取速度,GB/s
13.9
18.0
写入速度,GB/s
8.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2197
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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