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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
18.3
写入速度,GB/s
2,066.5
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3247
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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