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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
17.6
写入速度,GB/s
1,519.2
13.2
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3099
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991763 (996763) 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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