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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
4,577.1
16.3
写入速度,GB/s
2,066.5
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2937
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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