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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
4,577.1
22.2
写入速度,GB/s
2,066.5
17.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3871
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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