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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB 需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 49
    左右 -133% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 2,066.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 7.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2250

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
内存RAM
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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内存RAM