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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
18.1
写入速度,GB/s
2,066.5
13.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3125
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
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