RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3125
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link