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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
4,577.1
15.3
写入速度,GB/s
2,066.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3219
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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