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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
53
读取速度,GB/s
15.0
10.1
写入速度,GB/s
10.1
8.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2319
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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