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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
4,577.1
19.6
写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3774
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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