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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
4,577.1
10.6
写入速度,GB/s
2,066.5
8.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2503
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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