RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

总分
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 19.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 49
    左右 -145% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 19.2
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3429

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
内存RAM