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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB 需要考虑的原因
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 49
    左右 -133% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2833

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB RAM的比较

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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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