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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
33
读取速度,GB/s
8.9
16.6
写入速度,GB/s
5.9
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3122
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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