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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
49
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
21
读取速度,GB/s
4,577.1
18.1
写入速度,GB/s
2,066.5
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3087
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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