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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
40
读取速度,GB/s
11.6
16.0
写入速度,GB/s
7.3
14.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2965
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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