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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
4,577.1
15.1
写入速度,GB/s
2,066.5
9.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2758
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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