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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
4,577.1
14.7
写入速度,GB/s
2,066.5
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2498
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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