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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
4,577.1
15.4
写入速度,GB/s
2,066.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2583
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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