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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 49
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 2,066.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 11.6
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2036

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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内存RAM
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内存RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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内存RAM
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