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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
17.5
写入速度,GB/s
2,066.5
16.1
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3758
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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