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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
4,577.1
15.1
写入速度,GB/s
2,066.5
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2590
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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