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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
66
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
7.9
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
66
读取速度,GB/s
4,577.1
7.9
写入速度,GB/s
2,066.5
7.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
1862
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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