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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
16.7
写入速度,GB/s
2,066.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3244
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
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