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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
62
左右 -182% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
22
读取速度,GB/s
3,556.6
17.4
写入速度,GB/s
1,843.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3162
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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