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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
31
读取速度,GB/s
3,556.6
16.9
写入速度,GB/s
1,843.6
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3132
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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