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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
62
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
37
读取速度,GB/s
3,556.6
9.9
写入速度,GB/s
1,843.6
12.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2572
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
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Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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