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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.5
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
3,556.6
19.9
写入速度,GB/s
1,843.6
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3832
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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