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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
49
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
49
读取速度,GB/s
13.3
10.2
写入速度,GB/s
8.5
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2465
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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