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Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
8.8
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
3155
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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