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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
62
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
27700
6400
左右 4.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
27
读取速度,GB/s
3,556.6
18.5
写入速度,GB/s
1,843.6
15.8
内存带宽,mbps
6400
27700
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
542
3539
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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