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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
62
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
35
读取速度,GB/s
3,556.6
13.9
写入速度,GB/s
1,843.6
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2434
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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