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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
7.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1937
2803
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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