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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
62
左右 -88% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
33
读取速度,GB/s
3,556.6
17.6
写入速度,GB/s
1,843.6
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2910
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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