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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
16.7
19.4
写入速度,GB/s
11.8
15.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3614
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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