Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Inmos + 256MB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Inmos + 256MB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 30
    左右 10% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.7 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    11.8 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 16800
    左右 1.27% 更高的带宽
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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规格

完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    16.7 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    11.8 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2756 left arrow 2318
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RAM 1
RAM 2

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