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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
16.7
13.9
写入速度,GB/s
11.8
8.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2597
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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