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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.5
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
46
读取速度,GB/s
8.6
10.5
写入速度,GB/s
5.8
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1682
2368
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