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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
65
左右 -67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
18200
5300
左右 3.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
39
读取速度,GB/s
3,580.8
12.9
写入速度,GB/s
1,592.0
9.5
内存带宽,mbps
5300
18200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-18200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
572
2169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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